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均界微射流“撕开”高端:实现半导体CMP抛光液的“无介质分散”

发布时间:2026-05-15 来源:本站 浏览量:0

        全球半导体材料市场持续升温。SEMI数据显示,全球半导体材料年销售额达675亿美元,其中CMP抛光材料规模34.2亿美元,年复合增长率8.6%。

        产能向国内转移的趋势明确,晶圆厂扩产需求激增。但CMP抛光液国产化率不足30%,高端产品几乎完全依赖进口。卡在哪?不是配方追不上,是工艺推不动。

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        传统研磨,四块短板锁死高端

        国产CMP抛光液上不去,传统砂磨机、球磨机的物理极限是根源:

        ● 粒径下不去。 磨料无法稳定分散至200nm以下,而3nm、2nm制程要求50-100nm,差了整整一代。

        ● 金属杂质管不住。 研磨介质和腔体持续磨损,金属离子不断析出,芯片良率是硬指标,无法容下。

        ● 批次稳不了。 机械研磨随机性强,这一批和上一批差多少,产线没底,规模化量产的品控无从谈起。

        ● 高粘度转不动。 抛光液固含量高、粘度大,易堵塞、能耗高,产能卡在设备上,不是卡在需求上。

        四块短板,一个结果:国产抛光液困在中低端,高端供应链的大门始终敲不开。

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       均界的解法:没有介质,只有力

       针对这些结构性缺陷,均界自主研发的微射流超高压均质技术,给出了系统性方案。工艺逻辑与传统研磨完全不同——没有研磨介质,没有长时间反复。

       物料液压增压至420MPa,以超音速通过特制金刚石微通道,剪切、对撞、空穴三力协同,硬团聚被瞬时高能撕开,一步完成分散。这套逻辑带来了三项传统设备做不到的突破:

       精度突破。 磨料最小粒径稳定控制在50nm以下,完美适配3nm、2nm先进制程。粒径到了,先进封装和先进制程的抛光窗口才能打开。

       纯度突破。 金刚石交互容腔加全流道无金属接触设计,从设计端杜绝杂质析出,金属离子满足ppb级管控。不是靠事后清洗,是工艺本身不给污染留机会。

       稳定性突破。 闭环温控配合全自动PLC控制,批次间差异压至最小,24小时连续生产是交付标准,不是口号。

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       趋势不可逆,工艺选边就是市场选边

       均界深耕微射流技术十余年,以核心自研能力保障高端产线交付,优势突出:

       核心部件自研:金刚石交互容腔自主生产,最小孔径50μm,射流效果与纯度不依赖外购,成本与交付周期更具优势;

       产品线完整:覆盖10ml/min实验室机型至500L/h生产机型,实现小试到量产参数线性平移,缩短研发周期;

       市场验证充分:设备已进入国内头部半导体材料企业核心产线,覆盖多领域,实现持续复购,工艺成熟落地,提供全流程技术支持。

       中国半导体材料产业正处于从依赖进口到自主可控的关键转折期。均界微射流技术,以头部产线反复验证过的工艺实力,为高端CMP抛光液、第三代半导体材料等核心产品提供了可规模化、可复制的加工方案。

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